基于 CNT 的颗粒拥有超过
Posted: Sun Dec 22, 2024 9:26 am
94% 的 EUV 光透射率，并且可以承受超过 1000 W 的 EUV 功率水平。随着行业朝着超过 600 W 的光刻光源发展，从而实现更高质量的纳米级，这一发展至关重要（Optica-OPN，2024）。
日立高新技术推出GT2000
日立高新技术推出了 GT2000，这是一款高精度电子束计量系统，专为高数值孔径 EUV 一代半导体器件的开发和批量生产而设计。
GT2000具有针对先进3D半导体器件的新型检测系统、针对高NA EUV抗蚀 波兰电话号码 剂晶圆的高损耗低损耗多点测量功能，旨在提高批量生产的生产率。它是专门针对先进半导体器件的小型化和复杂性而开发的。
SMEE上海微电子装备集团有限公司取得重大进展。 （SMEE），一家中国公司，从事芯片制造技术。 SMEE开发出了能够制造28纳米芯片的光刻机。
这一成就被视为中国努力促进半导体产业和减少对外国技术依赖的重要一步，特别是考虑到美国的制裁。这一进展标志着中国半导体技术与国际领先技术之间的技术差距大幅缩小。
DNP 开发 3nm EUV 光刻光掩模工艺
由大日本印刷株式会社开发(DNP) 一种用于 3 纳米 EUV 光刻的新型光掩模制造工艺。这一进步满足了半导体市场对越来越薄的电路线宽度的需求。
DNP 的历史包括在 2016 年成为第一家推出多光束掩模写入工具 (MBMW) 的商业光掩模制造商，并在 2020 年开发用于 5nm EUV 光刻的光掩模工艺。
新工艺利用改进的制造技术和数据校正技术来支持复杂的弯曲图案结构，这对于 EUV 光刻至关重要。 DNP计划于2024年下半年开始运营新的MBMW，目标是到2030年年销售额达到100亿日元。
结论
紫外光刻 (EUVL) 是一项突破性技术，彻底改变了微芯片的制造方式。它使用非常短波长的光在硅晶圆上创建微小而复杂的图案，这对于制造更小、更快和更强大的电子设备（例如智能手机和计算机）至关重要。
这项技术的开发具有挑战性且成本高昂，但它对半导体行业产生了重大影响。英特尔、三星和台积电等公司正在使用 EUVL 来制造先进芯片。高数值孔径 EUV 光刻等创新技术允许更小、更详细的图案，从而使这些芯片变得更好。
由于对先进电子产品的需求不断增长以及对更强大的计算技术的需求，EUVL 市场正在快速增长。
日立高新技术推出GT2000
日立高新技术推出了 GT2000，这是一款高精度电子束计量系统，专为高数值孔径 EUV 一代半导体器件的开发和批量生产而设计。
GT2000具有针对先进3D半导体器件的新型检测系统、针对高NA EUV抗蚀 波兰电话号码 剂晶圆的高损耗低损耗多点测量功能，旨在提高批量生产的生产率。它是专门针对先进半导体器件的小型化和复杂性而开发的。
SMEE上海微电子装备集团有限公司取得重大进展。 （SMEE），一家中国公司，从事芯片制造技术。 SMEE开发出了能够制造28纳米芯片的光刻机。
这一成就被视为中国努力促进半导体产业和减少对外国技术依赖的重要一步，特别是考虑到美国的制裁。这一进展标志着中国半导体技术与国际领先技术之间的技术差距大幅缩小。
DNP 开发 3nm EUV 光刻光掩模工艺
由大日本印刷株式会社开发(DNP) 一种用于 3 纳米 EUV 光刻的新型光掩模制造工艺。这一进步满足了半导体市场对越来越薄的电路线宽度的需求。
DNP 的历史包括在 2016 年成为第一家推出多光束掩模写入工具 (MBMW) 的商业光掩模制造商，并在 2020 年开发用于 5nm EUV 光刻的光掩模工艺。
新工艺利用改进的制造技术和数据校正技术来支持复杂的弯曲图案结构，这对于 EUV 光刻至关重要。 DNP计划于2024年下半年开始运营新的MBMW，目标是到2030年年销售额达到100亿日元。
结论
紫外光刻 (EUVL) 是一项突破性技术，彻底改变了微芯片的制造方式。它使用非常短波长的光在硅晶圆上创建微小而复杂的图案，这对于制造更小、更快和更强大的电子设备（例如智能手机和计算机）至关重要。
这项技术的开发具有挑战性且成本高昂，但它对半导体行业产生了重大影响。英特尔、三星和台积电等公司正在使用 EUVL 来制造先进芯片。高数值孔径 EUV 光刻等创新技术允许更小、更详细的图案，从而使这些芯片变得更好。
由于对先进电子产品的需求不断增长以及对更强大的计算技术的需求，EUVL 市场正在快速增长。